CY15B116QI, CY15V116QI是16 Mb EXCELON ™ LP 鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) ，串⾏ (SPI) 2048K × 8, 20 MHz, 電湧控製 , 商業級FRAM。

功能說明

EXCELON ™ LP CY15X116QI 是采用了高級鐵電工藝的低功耗 16 Mb ⾮易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器( 即 F-RAM) 是一種⾮易失性存儲器，它跟 RAM 一樣，能夠執⾏讀和寫操作。該存儲器提供 151 年的可靠數據保留時間，並解決了由串⾏閃存、EEPROM 和其它⾮易失性存儲器造成的複雜性、開銷和係統級可靠性的問題。

與串⾏閃存和 EEPROM 不同的是，CY15X116QI 以總線速度執⾏寫操作，並且不引起寫操作的延遲。在每個字節成功傳輸到器件後，數據立即被寫⼊到存儲器陣列內。這時，可以開始執⾏下一個總線周期⽽不需要輪詢數據。此外，與其它⾮易失性存儲器相比，該產品提供了更多的寫⼊次數。CY15X116QI 能夠提供1015 次的讀 / 寫周期，或支持比 EEPROM 多 10 億倍次的寫周期。

由於具有這些特性，因此 CY15X116QI ⾮常適用於需要頻繁或快速寫操作的⾮易失性存儲器應用。示例的範圍包括從數據收集 ( 其中寫周期數量是⾮常重要的 ) 到滿足工業控製 ( 其中串⾏閃存或 EEPROM 的較長寫時間會使數據丟失 )。

作為直接替代硬件時，CY15X116QI 為串⾏ EEPROM 或閃存的用⼾提供極大好處。CY15X116QI 使用高速的 SPI 總線，從⽽可以改進 F-RAM 技術的高速寫⼊能力。該器件包含一個隻讀的器件 ID 和唯一 ID 特性，通過它們，主機可以確定每個器件的製造商、產品容量、產品版本和唯一 ID。該器件還提供可寫的 8 字節序列號的寄存器，這些寄存器可用於識別特定電路板或係統。

性能

• 16 Mb 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結構為 2048K × 8

- 提供了一千萬億次 (1015) 的讀 / 寫周期，幾乎為無限次數的耐久性

- 151 年數據保留時間 ( ⻅第 27 ⻚上的 " 數據保留時間與耐久性 ")

- 英⻜淩即時⾮易失性寫⼊技術

- 高可靠性的高級鐵電工藝

• 快速串⾏外設接口 (SPI)

- 頻率可高達 20 MHz

- 支持 SPI 模式 0 (0,0) 和模式 3 (1,1)

• 精密的寫⼊保護方案

- 使用寫保護 (WP) 引腳提供硬件保護

- 使用寫禁用 (WRDI) 指令提供軟件保護

- 可對 1/4、1/2 或整個陣列進⾏軟件模塊保護

• 器件 ID 和序列號

- 製造商 ID 和產品 ID

- 器件的唯一 ID

- 序列號

• 專用 256 字節特殊扇區 F-RAM

- 專用特殊扇區寫和讀操作

- 存儲的內容可以在多達 3 個標準回流焊周期內保持不變

• 低功耗

- 頻率為 20 MHz 時，有效電流為 1.50 mA ( 典型值 )

- 待機電流為 14 μA ( 典型值 )

- 深度掉電模式電流為 1.10 μA ( 典型值 )

- 休眠模式電流為 0.1 μA ( 典型值 )

- 上電時，電湧為 1.90 mA ( 典型值 )

• 低電壓操作

- CY15V116QI：VDD = 1.71 V 到 1.89 V

- CY15B116QI：VDD = 1.8 V 到 3.6 V

• 商業級工作溫度範圍：0 °C ~ +70 °C

• 24 ball 小間距 BGA (24-FBGA)

• 符合有害物質限製標準 (RoHS)

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